地址:重庆市渝中区龙湖时代天街19号5号楼608室
谢先生:13101311100
电话:023-67947990
传真:023-65309652
网址:www.cqbiu.com

您当前位置: 首页 > 产品展示
SLE半导体少长针消雷装置
  
      该消雷器装置由半导体针组,接地引下线和接地装置组成。半导体针组由5m长的半导体针构成,针的顶部有4根金属分叉尖端。该装置是在避雷针的基础上发展起来的新技术。它利用了少长针的独特结构,在雷云电场下发生强烈的电晕放电,及布满在空中的空间电荷产生屏蔽效应,并中和雷云电荷,利用半导体材料的非线性改变雷电发展过程,延长雷电放电时间以减小雷电流的峰值和陡度,从而有效地保护了被保护物体。

SLE的结构
    由5~25根半导体针组成,向上呈辐射状布置在垂直交叉的扇面上,同一扇面相邻两针间的夹角为20°~25°。每根半导体针长约5m,针体电阻为35kΩ,单针闪络电压在1500kV以上。每根针端部有4根30cm长的金属针。

SLE的功能
①尖端放电产生的异号电荷中和雷云中的电荷以消减部分下行雷击;
②半导体针电阻的限流作用阻碍上行先导的发展以消除向上发展的雷电;
③半导体针的电阻限制那些来不及中和的下行雷的雷电流的幅值和陡度,大幅度削弱其危害力;
④端头的特殊形状来增强对下行雷的吸引能力,靠尖端放电所产生的空间电荷的屏蔽作用减弱消雷装置附近的地面场强,从而增大了保护范围。

SLE保护范围的确定
由于半导体少长针消雷装置既有竖直的长针,又有近乎水平的长针,对下行雷而言,可发出垂直方向的迎面先导,又可发出水平方向的迎面先导,增大了对下行雷的吸引。SLE地面保护范围一般可取高度的5倍。
根据《半导体少长针消雷装置使用的安全要求》GB/T16438-1996,单支SLE在被保护物高度hx水平面上的保护半径rx:
rx=n(h-hx)p=nhap
式中:h——消雷装置的高度,m;
rx——消雷装置在hx水平面上德保护半径,m;
hx——被保护物的高度,m;
ha——消雷装置的有效高度,m;
n ——对易燃易爆设施(弹药库、油库、化工厂和棉麻仓库等)取n=3.5,对其余设施(智能楼宇、通讯、机场、铁路、广播电视等)取n=5;
p ——高度影响系数:当h≤64m时,p=1;当64<h<140m时,p=。

SLE的选型

注1:铁塔高于60m时,铁塔中间增加的水平针数,(距地面45~50处一层)。
注2:铁塔高于80m时,铁塔中间增加的水平针数,(距地面45m,65m处两层)。

SLE的安装
①被保护物体须置于SLE保护范围内
②严禁在SLE结构支柱上悬挂电话线、广播线、电视接收天线以及低压架空线。
③航空障碍灯应装在SLE基座的下部。
④接地装置的冲击接地电阻应符合相应场所的要求,在高土壤电阻率地区可放宽,但应小于30Ω。
⑤引下线宜采用圆钢或扁钢,圆钢Φ≥8mm,扁钢截面应不小于48mm2,厚度应不小于4mm;可直接利用塔体本身或建筑物主钢筋引下。


中国专利号:90  2  02706. 9
美国专利号: 5.   19.  521
日本专利号: 特许第 1955860        

◆ 尖端放电产生的异号电荷中和雷云中的
       电荷以消减部分下行雷击
◆ 半导体针电阻的限流作用阻碍上行先导
      的发展以消除向上发展的雷电
◆ 半导体针的电阻特性限制来不及中和的下行雷的雷电流的幅值和陡
     度,大幅度削弱其危害力
◆ 端头的特殊形状来增强对下行雷的吸引能力,靠尖端放电所产生的空
    间电荷的屏蔽作用减弱消雷装置附近的地面场强,从而增大了保护范围
◆ 抗风能力强,可抗50m/s的风力
◆ 接地电阻在高土壤电阻率地区可适当放宽,但应小于30Ω